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SLM2003E

200V低（dī）压驱（qū）动芯片

样片申请

SLM2003E Datasheet

产（chǎn）品（pǐn）概述

产品特性（xìng）

安规认证（zhèng）

典型应用（yòng）图

产（chǎn）品概述（shù）

SLM2003E 是一款高压、高速的功率（lǜ）MOSFET和IGBT驱动器。采用专有的（de）高压集成（chéng）电路（lù）和锁（suǒ）存免（miǎn）疫的CMOS技术可提供（gòng）可靠（kào）的单（dān）芯片驱动方案。逻辑输入电（diàn）平与标准CMOS或LSTTL输出兼（jiān）容，最低支（zhī）持3.3V逻辑。输出驱动（dòng）器（qì）具有高脉（mò）冲电流缓冲级（jí），以减小驱动器（qì）交叉导通。浮动（dòng）通道可用于驱动高边配置的N型（xíng）沟道功（gōng）率MOSFET或IGBT，工作电压可（kě）高达200V。

产品特性

为（wéi）自（zì）举操作设计（jì）的浮动通道

完全运行时电压高达 200V

容许（xǔ）瞬间负电压，不受 dV/dt 影响

驱动（dòng）电源范（fàn）围从 10V 到 18V

欠压闭（bì）锁

3.3V、5V 和（hé） 10V 逻辑输（shū）入兼容（róng）

驱动电流：290 mA/600 mA

防止交（jiāo）叉（chā）导通逻辑

两通道（dào）间（jiān）匹配（pèi）传输延迟

输出（chū）信号与输入信（xìn）号同相

通过无（wú）铅认证