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SLM2003S

200V低压驱动芯片

样片申请

SLM2003S Datasheet.

产品（pǐn）概述

产（chǎn）品特性

安（ān）规认（rèn）证

典型（xíng）应用（yòng）图（tú）

产品（pǐn）概述

SLM2003S 是一款（kuǎn）高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器。采用专有的高压集成（chéng）电路（lù）和锁存免疫的CMOS技术可提供（gòng）可靠的（de）单芯（xīn）片驱动方案。逻辑输入电（diàn）平与标准CMOS或LSTTL输（shū）出兼（jiān）容，最低（dī）支持3.3V逻辑。输（shū）出驱（qū）动器具（jù）有高脉冲电（diàn）流缓冲级，以减小驱动器交叉（chā）导通（tōng）。浮动通道（dào）可用于驱动高（gāo）边配（pèi）置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压（yā）可高达200V。

产品（pǐn）特性

为自举操作设计的浮动通道

完全（quán）运行时电压高达（dá） 200V

容许瞬间负电压，不受 dV/dt 影响

驱动（dòng）电源范围从（cóng） 10V 到 20V

欠压闭锁（suǒ）

3.3V、5V 和 15V 逻辑输入兼容

驱动电流：290 mA/600 mA

防（fáng）止交叉导通逻辑（jí）

两（liǎng）通道间匹（pǐ）配传（chuán）输延迟

通过（guò）无（wú）铅认证

提（tí）供 SOP-8 封装选项