SLM2110是一款高（gāo）压、高速（sù）的功率MOSFET和（hé）IGBT驱动（dòng）器，它提（tí）供独立（lì）的高边、低边输出驱动（dòng）信（xìn）号。采（cǎi）用专（zhuān）有的（de）高压集（jí）成电（diàn）路和锁存免疫CMOS技术，提供可靠的（de）单芯片驱（qū）动方案。逻辑输（shū）入电平与（yǔ）标准（zhǔn）CMOS或LSTTL输出兼容，最低支（zhī）持3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉（mò）冲（chōng）电流缓冲级，以（yǐ）减小驱动器交叉导通（tōng）。延时匹配很（hěn）方便应用于高频设（shè）备（bèi）。浮动通道可用于驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工（gōng）作电压（yā）可高达600V。
为自举供电设计的（de）浮动通道（dào）
全电压范围运行达600V
允许瞬态负（fù）电（diàn）压，不受dV/dt影响
驱动电源范围（wéi）从10V到（dào）20V
欠压闭（bì）锁
3.3V、5V和15V逻辑兼容（róng）
逻（luó）辑地（dì）和功率地（dì）能承受±5V偏置
防止交叉导（dǎo）通逻辑
输入有（yǒu）下拉（lā）电阻的（de）COMS斯密（mì）特触发器
逐（zhú）周期边缘触发的关闭逻辑（jí）
两通道（dào）间匹配传输（shū）延时
输入输出同相
典型开通/关（guān）断（duàn）延时：140ns/140ns
典型驱动电流：1A/1.6A
400 080 9938
