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样片申请 | 简体中文
SLM2136
600V 200mA/350mA 高压(yā)三相半桥(qiáo)驱动芯片
样片申请(qǐng)
SLM2136 datasheet
产品概述
产(chǎn)品(pǐn)特(tè)性
安规(guī)认(rèn)证
典型应用图
产品概述(shù)

SLM2136是(shì)一(yī)款高压、高(gāo)速的三相功(gōng)率MOSFET和IGBT驱动器。采用专有的(de)高压集成电路(lù)和锁存免疫CMOS技术(shù),提供可靠的单芯片驱动方案。逻辑输(shū)入电平(píng)与标准CMOS或LSTTL输出兼容,最低支持3.3V逻辑。通过检测外部电流电阻上电(diàn)流,过(guò)流(liú)保护(hù)功能能够关断所有(yǒu)输出。使(shǐ)能引脚能同(tóng)时控制6路输出(chū)开通(tōng)或(huò)关(guān)断。提供漏极开路的故(gù)障信号指示过流或者欠(qiàn)压关闭发生(shēng)。通过连接到(dào)RCIN输入的RC网络外部编程延时后,过(guò)流故障条(tiáo)件自动清除。输出(chū)驱动器具有高(gāo)脉冲电(diàn)流缓冲级(jí),以减小驱动器交叉(chā)导通。延时匹配(pèi)很方便应用于(yú)高频设备。浮动通道可用于驱动高边配置的N型沟(gōu)道功(gōng)率MOSFET或IGBT,工作电压可高达600V。

产品特性

为自举供电设计的浮动通(tōng)道

全电(diàn)压(yā)范围运行达600V

允许瞬态负电压,不受(shòu)dV/dt影响

驱动电(diàn)源范围(wéi)从10V到20V

欠压闭锁

高低边输入(rù)输出反向

3.3V,5V和15V逻辑兼容

低di/dt门极驱动(dòng)抗干扰能力强

双通道的匹配延时

外部可编(biān)程(chéng)延时的自(zì)动故障清理(lǐ)

典型死区时(shí)间:290ns

典型开(kāi)通/关断延时:480ns/370ns

典型驱动电(diàn)流:200mA/350mA

封装:SOP28W

安(ān)规认证
典型应用图

2136.png

产品参数表(biǎo)

展开(kāi)过滤(lǜ)器
Part Number Power Switch IOH/IOL (A) Bus voltage (Max)(V) Input VCC (V) Ton/Toff Typ(ns) Tr/Tf Typ(ns) Deadtime Typ(ns) Delay Match Max(ns) Operating Temp(℃) Package Group Packing/QTY
SLM2136CF-DGIGBT/ MOSFET0.25/0.3560010-20480/370125/5029090-40-125SOP28WReel/1000
应(yīng)用案例

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