SLM21867是一款高（gāo）压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器，它提供独立（lì）的高边、低（dī）边输（shū）出驱动信号。采用专有的（de）高压集成电（diàn）路和锁存免疫CMOS技术（shù），提供可靠的单芯片驱动（dòng）方案。逻辑（jí）输入电平（píng）与标准CMOS或（huò）LSTTL输出（chū）兼容，最低支（zhī）持3.3V逻辑（jí）。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲（chōng）级，以减（jiǎn）小驱动器交叉导通（tōng）。延时匹配很（hěn）方便应用于高频设备。浮动通道可用于驱动高（gāo）边配置的N型沟道功率MOSFET或（huò）IGBT，工作（zuò）电压可高达600V。
为自举供（gòng）电设（shè）计的浮动通道
全电压（yā）范（fàn）围运（yùn）行（háng）达（dá）600V
低VCC工作范围（wéi）
允许瞬态负电压，不受dV/dt影响
驱（qū）动（dòng）电源范围从7V到20V
欠压闭锁
3.3V、5V逻辑兼（jiān）容
输（shū）入有下拉电阻的COMS斯密特（tè）触发器
两通道（dào）间匹配传输延时
输入输（shū）出同相
典型开（kāi）通/关断延时：170ns/170ns
典（diǎn）型驱动电（diàn）流：2.5A/3.5A
400 080 9938
