SLM27511器件是单通道高速低边门极驱动（dòng）器，可有效驱动MOSFET和IGBT等（děng）功（gōng）率开关。SLM27511采（cǎi）用（yòng）一种能够从内部（bù）极大（dà）的降低直通电流的设计，将高峰值的（de）源（yuán）电流和灌电流（liú）脉（mò）冲提（tí）供给电容负载，以实现轨到轨的驱动能力和典型值仅（jǐn）为 18ns 的极小传播延迟。
SLM27511在12V的VDD供（gòng）电情况下，能（néng）够提供（gòng）4A的峰值源电流和5A的峰值灌电流（liú）。
低成（chéng）本的门（mén）极驱动方案（àn）可（kě）用（yòng）于替（tì）代 NPN和 PNP 分离（lí）器（qì）件方案（àn）
4A 的峰值源（yuán）电流和5A的峰值灌电流能力
快速的传（chuán）输（shū）延时（典型值为 18ns）
快速的上升和下降时（shí）间（典型值为 7ns/5ns）
4.5V 到 20V 的单电源范围
VDD 欠压闭锁功能
兼容 TTL 和 CMOS 的输入逻辑电压阈值
双输（shū）入设计(可（kě）选择反相（xiàng）或非（fēi）反相驱动配置)
输入浮空（kōng）时（shí）输出（chū）保持为低（dī）
工作（zuò）温度范围（wéi）为 -40°C 到140°C
提供 SOT23-6 的封装选（xuǎn）项
400 080 9938
