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SiLM2014A

200V低压（yā）驱动芯片

样片申请

SiLM2014A_Datasheet

产品概述

产品特性

安规认证

典（diǎn）型应（yīng）用图

产（chǎn）品概（gài）述

SiLM2014A 是一款高（gāo）压（yā）、高速的功（gōng）率MOSFET和IGBT驱动器。采用专有（yǒu）的高压集（jí）成电路和锁存免疫的（de）CMOS技术可提供可靠的单芯片驱动方（fāng）案。逻（luó）辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容（róng），最低支持3.3V逻辑。输出驱（qū）动（dòng）器（qì）具有高脉冲电流（liú）缓冲级，以减（jiǎn）小驱动器（qì）交（jiāo）叉导通（tōng）。浮动通道可用于驱（qū）动高边配置的N型沟（gōu）道（dào）功率MOSFET或IGBT，工（gōng）作电压可（kě）高达200V。

产（chǎn）品特性

为自举操作设计的（de）浮动（dòng）通道

完全运行（háng）时（shí）电压高达 200V

容（róng）许瞬间负（fù）电压，不受 dV/dt 影（yǐng）响

驱动电源范（fàn）围从（cóng） 10V 到 18V

欠（qiàn）压（yā）闭（bì）锁（suǒ）

3.3V、5V 和 15V 逻辑输入兼容

驱（qū）动电流：1A/1.5A

防止交叉导通逻辑

两（liǎng）通（tōng）道间（jiān）匹配传输延（yán）迟

输出信号（hào）与输入信号同相

通过无铅认证